（原标题：1C DRAM，SK hynix全球首发）

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来源：内容编译自skhynix，谢谢。

SK海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。

SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。

而且，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领导力，巩固最受客户信赖的AI用存储器解决方案企业的地位。”

领先三星

业内人士早在4月8日透露，SK海力士已制定内部路线图，计划在第三季度内获得客户认证并开始量产10纳米级第六代DRAM。目前业界领先的DRAM产品双倍数据速率（DDR）5 16Gb（千兆位），预计将正式获得与英特尔服务器平台的兼容性认证。

一旦 SK 海力士的 DRAM 获得英特尔 CPU 使用认证，它很快就会看到运营数据中心的大型科技公司的需求激增。英特尔与 AMD 共同主导着全球服务器 CPU 市场，占据着 70-80% 的市场份额。业内专家预测，由于 DDR5 是一种商品，各公司都在提前做好准备，预计在获得英特尔认证后将迅速开始向亚马逊和微软等大客户销售。

SK海力士去年1月，10纳米级第四代（1a）DDR5服务器用DRAM获得英特尔认证，创下全球首例；5月，10纳米级第五代（1b）DDR5再次创下全球首例，进入英特尔数据中心兼容性验证阶段。目前，SK海力士正加快步伐，力争凭借即将于第三季度推出的第六代（1c）产品再创“全球首例”。

对比两家公司公开的路线图，SK海力士10纳米级第六代DRAM量产时间表领先于三星电子。三星计划于今年12月通过客户认证并开始量产。上个月，在美国硅谷举行的MemCon 2024全球半导体会议上，三星公布了其下一代DRAM的开发路线图，宣布计划在今年年底前量产第六代10纳米级DRAM。

10nm级第六代产品将采用尖端的极紫外（EUV）光刻工艺，与之前的第五代10nm级产品相比，可实现更高的净芯片数量（Net Die，即每个晶圆可生产的芯片数量）并提高功率效率。

三星电子还计划在今年 12 月之前获得客户认证并进行量产，正如最近在硅谷举行的 MemCon 2024 会议上所透露的那样，该公司在会上披露了其在年底前生产第六代 10 纳米级 DRAM 的计划。

第六代 10 纳米级 DRAM 代表了目前最高端的第五代 10 纳米级产品的下一代。两种工艺均采用了先进的 EUV 光刻技术，但第六代工艺将用于更多电路，从而实现比第五代工艺更高的净芯片良率和更高的功率效率。

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